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J-GLOBAL ID:200903068475775880
炭素薄膜の製造方法及びその製造装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997080138
Publication number (International publication number):1998279302
Application date: Mar. 31, 1997
Publication date: Oct. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】 大面積にわたって均一かつ優れた表面性を有し、また、強度や電気伝導性等に優れた炭素薄膜(特にフラーレン重合体からなる薄膜)の製造方法、及びその実施の際に使用できる製造装置を提供すること。【解決手段】 Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子を、マイクロ波誘起によって重合してフラーレン重合体を形成し、このフラーレン重合体を基体上に堆積することによって、前記フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する、炭素薄膜の製造方法。Cn (但し、nは前記したものと同様である。)で表されるフラーレン分子の供給源8と、この供給源8から供給されるフラーレン分子13にマイクロ波15を作用させるマイクロ波作用部17と、このマイクロ波15による誘起によって生成するフラーレン重合体14を基体11上に堆積させ、フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する成膜部10とを有する、炭素薄膜の製造装置。
Claim (excerpt):
Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子を、マイクロ波誘起によって重合してフラーレン重合体を形成し、このフラーレン重合体を基体上に堆積することによって、前記フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する、炭素薄膜の製造方法。
Patent cited by the Patent:
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