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J-GLOBAL ID：200903068480800515

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319102
Publication number (International publication number)：1998163114
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 均質でかつ再現性の良い窒化ガリウム結晶を形成できる半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】 単結晶基板上に酸化亜鉛層を形成した後に、0°Cないし900°Cの温度範囲内で第1の窒化ガリウム結晶を形成し、その後900°Cないし2000°Cの温度範囲内で第2の窒化ガリウム結晶を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に、酸化亜鉛層、第1の窒化ガリウム結晶および第2の窒化ガリウム結晶を順次形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/14