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J-GLOBAL ID:200903068486902905

TFTアレイ基板とその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 草野 卓 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996321566
Publication number (International publication number):1998163463
Application date: Dec. 02, 1996
Publication date: Jun. 19, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ホトリソグラフィ技術を用いたエッチング工程数を縮減する。【解決手段】 ガラス基板1上にソース電極S、ソースバス、ドレイン電極D、蓄積容量電極CSが共通の金属材料で形成される。ソース電極Sとドレイン電極Dの近傍にa-Siより成る半導体層3及びn+ a-Siより成るオーミックコンタクト層3′が形成される。絶縁膜4上にゲート電極G、ゲートバス及び第1チャージコレクタ6が共通の金属材料により形成される。ゲート電極G、ゲートバス及び第1チャージコレクタ6(第1チャージコレクタの中央部を除く)上を覆うように、感光性絶縁膜7が一面に形成され、その絶縁膜7及び第1チャージコレクタ上に第2チャージコレクタ8がITOにより形成される。第1チャージコレクタ6は絶縁膜4に形成されたコンタクトホール5を通じてドレイン電極Dに接続される。
Claim (excerpt):
ガラス基板上にソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極が共通の金属材料により形成され、前記ソース電極とドレイン電極の間の領域及びその領域の近傍にa-Siより成る半導体層が形成され、その半導体層のソース電極及びドレイン電極との界面に、n+ a-Siより成るオーミックコンタクト層が形成され、前記半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に絶縁膜(4)が形成され、その絶縁膜上にゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタが共通の金属材料により形成され、前記ゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタ(しかし第1チャージコレクタの中央部を除く)上を覆うように、絶縁膜が一面に形成され、その絶縁膜及び第1チャージコレクタ上に第2チャージコレクタがITOにより形成され、前記第1チャージコレクタは前記絶縁膜(4)に形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続されていることを特徴とするTFTアレイ基板。
IPC (8):
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/09
FI (7):
H01L 27/14 K ,  G01T 1/24 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 A ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 31/00 A

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