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J-GLOBAL ID：200903068491620195
半導体レーザ装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994245615
Publication number (International publication number)：1996111560
Application date： Oct. 11, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 量子井戸構造層へ不純物を注入し、無秩序化して窓構造を形成する際、結晶欠陥の発生を少なくするため不純物を注入する加速電圧を低くすることができるようにする。【構成】 量子井戸構造層上に形成する上クラッド層を、第1上クラッド層と第2上クラッド層とからなるように構成し、量子井戸構造層に不純物を注入する際、第1上クラッド層のみを介して注入することができるようにする。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1導電型の下クラッド層と、この下クラッド層上に形成されバリア層とウエル層が交互に積層されてなる量子井戸構造層と、この量子井戸構造層上に形成された第2導電型の第1上クラッド層と、レーザ共振器端面近傍の上記量子井戸構造層に不純物を注入して形成された無秩序化領域と、上記第1上クラッド層上に形成され半導体レーザの共振器方向に伸びるストライプ状の第2導電型の第2上クラッド層及び第2導電型の第1コンタクト層からなるリッジと、上記リッジの周囲の上記第1上クラッド層上に上記リッジを埋め込むように形成された第1導電型の電流ブロック層と、この電流ブロック層及び上記第1コンタクト層上に形成された第2導電型の第2コンタクト層とを備えた半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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