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J-GLOBAL ID:200903068510385690

液晶表示素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮井 暎夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996326614
Publication number (International publication number):1998170920
Application date: Dec. 06, 1996
Publication date: Jun. 26, 1998
Summary:
【要約】【課題】 配向性が良好で視野角特性を向上する。【解決手段】 一対の基板8a,8b間に液晶が狭持され、基板の一方に各画素ごとにアクティブ素子4を配置し、このアクティブ素子4を有する基板8a上に少なくとも画素電極7が配置されるように一対以上の線状の画素電極7と共通電極6を画素内の基板8a,8b上に形成し、電極6,7間に電圧が印加された際に、基板面に対して水平方向に電界が生じるような電圧印加手段を設け、一方の基板8bの表面が制御された液晶配向性を有し、電極による段差が大きい他方の基板8aの表面が液晶のネマティック-アイソトロピック転移点より低い温度で液晶配向力を消失する性質を有することを特徴とする。アニール処理により、配向性を有する一方の基板8b側から液晶分子の配向状態が広がり、配線段差のある他方の基板8aでも段差部近傍まで均一なホモジニアス配向が得られる。
Claim (excerpt):
一対の基板間に液晶が狭持され、前記基板の一方に各画素ごとにアクティブ素子を配置し、このアクティブ素子を有する基板上に少なくとも画素電極が配置されるように一対以上の線状の画素電極と共通電極を前記画素内の基板上に形成し、前記電極間に電圧が印加された際に、基板面に対して水平方向に電界が生じるような電圧印加手段を設けた液晶表示素子であって、一方の基板の表面が制御された液晶配向性を有し、前記電極による段差が大きい他方の基板の表面が液晶のネマティック-アイソトロピック転移点より低い温度で液晶配向力を消失する性質を有することを特徴とする液晶表示素子。
IPC (2):
G02F 1/1337 ,  G02F 1/1337 525
FI (2):
G02F 1/1337 ,  G02F 1/1337 525

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