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J-GLOBAL ID：200903068533378047

半導体装置の製造方法

Inventor： 浅野 恭典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126562
Publication number (International publication number)：1993326726
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【構成】半導体基板上の部材上の一部に耐液層堆積膜を形成する工程と、液層堆積法を用いて前記部材上に絶縁膜を堆積する工程と、前記耐液層堆積膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】本発明を用いると、信頼性が高い半導体装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の部材上の一部に耐液層堆積膜を形成する工程と、液層堆積法を用いて前記部材上に絶縁膜を堆積する工程と、前記耐液層堆積膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28