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J-GLOBAL ID：200903068552716212

多結晶シリコン薄膜トランジスタ

Inventor： 樫本 登 ,  久住 美由紀
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992167337
Publication number (International publication number)：1994013607
Application date： Jun. 25, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Poly-Siの活性層とゲート酸化膜との界面に発生する凹凸を小さく抑えその界面を平坦化して、トランジスタ特性のばらつきを抑えた多結晶シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】 本発明のPoly-SiTFTは、多結晶シリコンを用いた活性層103と、その上に活性層103の多結晶シリコンの結晶粒径よりも小さな粒径の多結晶シリコンを成膜し熱酸化してなるゲート絶縁膜101とを有している。このゲート絶縁膜101は、多結晶シリコンを用いた活性層103の上に成膜された、活性層103の多結晶シリコンの結晶粒径よりも小さな粒径の多結晶シリコン膜100を熱酸化してなるものである。

Claim (excerpt)：

活性層に多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタにおいて、 前記活性層の上に、前記多結晶シリコンの結晶粒径よりも小さな粒径の多結晶シリコンを成膜し酸化してなるゲート絶縁膜を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。