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J-GLOBAL ID：200903068564606641

成膜方法及びCVD装置

Inventor： 西野 仁 ,  中岡 春雪 ,  藤井 隆満
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998246861
Publication number (International publication number)：2000080477
Application date： Sep. 01, 1998
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 原料を高温条件で長時間曝すことなく原料の分解反応を抑制して劣化を防止するとともに、原料濃度の制御が容易なCVD法による成膜方法及びCVD装置を提供する。【解決手段】 常温で液体または固体の原料Mを収容可能で、その原料自由表面S上にキャリアガスを流通させて原料を担持可能に構成された原料収容器12a,12b,12cを備え、更に好ましくは、原料収容器12a,12b,12c内の原料Mの残量または使用量或いはその変化率を測定する原料モニタ20と、その原料モニタ20の測定値に応じて、キャリアガスの流量、希釈ガスの流量、キャリアガスの温度の少なくとも何れか一つを制御する原料供給制御手段21を備えてなるCVD装置を使用し、常温で液体または固体の原料Mに対してバブリングを行わず、原料自由表面S上にキャリアガスを流通させて原料を担持する。

Claim (excerpt)：

常温で液体または固体の原料を使用する場合に、原料自由表面上にキャリアガスを流通させて原料を担持することを特徴とするCVD法による成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/448 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/44 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B

F-Term (23)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030FA07 ,  4K030FA10 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045AA04 ,  5F045AA11 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE14