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J-GLOBAL ID:200903068580745112
低出力半導体レーザ治療器
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
小林 和憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994083913
Publication number (International publication number):1995265448
Application date: Mar. 29, 1994
Publication date: Oct. 17, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 低出力レーザ療法の有効性を発揮させかつレーザ光による不慮の事故を防止する。【構成】 プローブ本体25にプリント板26を配置し、レーザ発生制御回路9、レーザ光出力切換スイツチ回路10、タツチセンサ制御回路13、焦点切換・表示スイツチ回路11、レーザ光照射開始スイツチ回路33とを実装する。またプリント板26に接続した半導体レーザ8の次段に集光レンズ系40を本体25配置し、かつ集光レンズ系40は本体25の外部に突出するアーム42を有するレンズ収納筒41内に集光レンズ46,47とがスペーサ48を介して組立られ、収納筒41のアーム42は焦点移動クランクアーム43を介して回路11の焦点切換レバー45と連係される。
Claim (excerpt):
レーザ治療器のレーザプローブにレーザ光出力を疾患の治療目的に応じて1mW〜10mW以下の範囲内で可変できる低出力半導体レーザを内蔵し、該半導体レーザからのレーザ光を集光せしめる集光レンズ系を設け、該集光レンズ系からのレーザ光の焦点距離を調整する焦点距離調整部を設け、疾患の治療目的に応じた最適なレーザ光特性を選択する構成としたことを特徴とする低出力半導体レーザ治療器。
IPC (2):
A61N 5/06
, A61B 17/36 350
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭58-086179
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特表平6-509952
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特開平1-099574
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特開平2-102674
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特開昭63-021071
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