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J-GLOBAL ID：200903068588448540
光起電力素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020052
Publication number (International publication number)：1993218469
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 光に対する反射率を高くし光トラップ効果を高め光起電力素子の変換効率を高める。又、金属原子の拡散が少なく、耐薬品性があり、万一ピンホールが発生しても過剰な電流が流れるのを防止し信頼性が高く、量産が容易な光起電力素子を提供することにある。【構成】 基板101上に反射率が高く表面が平滑な金属の層102を有し、金属層と反対側の面が凹凸構造となった透明層103を設けてなる裏面反射層を有しその上に半導体を接合し、透明電極107を積層する光起電力素子。半導体接合104の表面は裏面反射層と同等の凹凸構造が望ましく透明層103は、不純物を添加し、抵抗を高める。又凹凸形成の一手段として、酸又はアルカリあるいは塩水溶液に基板表面を浸して形成できる。
Claim (excerpt)：
光を反射する為の少なくとも1つの実質的に平滑な面を有する金属層と、前記面上に設けられ該面とは反対側に凹凸面を有する透明層と、前記透明層上に設けられた半導体から成る光電変換層と、が積層されていることを特徴とする光起電力素子。
IPC (3)：
H01L 31/04
, B60R 16/04
, B64G 1/44
Cited by examiner (5)
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