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J-GLOBAL ID：200903068589754637
化合物半導体単結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012063
Publication number (International publication number)：1995206589
Application date： Jan. 10, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、単結晶育成技術、特に液体封止チョクラルスキー法を適用した長尺の化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【構成】 高圧容器内のヒーターの周囲に断熱材を備えている単結晶製造装置を使用し、不活性雰囲気下、該高圧容器内のヒーター中に配置したルツボ中で原料と液体封止材を融解し、次いで、ヒーターで加熱温度を制御し前記原料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら種結晶を引き上げて、単結晶の成長を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、炉内ガスの循環によりルツボ底部を冷却する手段を有する単結晶製造装置を使用して化合物半導体単結晶を育成する。【効果】 LEC法により単結晶を育成するにあたり、断熱材の下部に隙間を設け、炉内ガスの循環を利用することにより、ルツボ底部が冷却され長尺の単結晶が歩留まりよく育成できる。
Claim (excerpt)：
高圧容器内のヒーターの周囲に断熱材を備えている単結晶製造装置を使用し、不活性雰囲気下、該高圧容器内のヒーター中に配置したルツボ中で原料と液体封止材を融解し、次いで、ヒーターで加熱温度を制御し前記原料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら種結晶を引き上げて、単結晶の成長を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、炉内ガスの循環によりルツボ底部を冷却する手段を有する単結晶製造装置を使用して化合物半導体単結晶を育成することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (4)：
C30B 27/02
, C30B 29/40
, C30B 15/00
, H01L 21/208
