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J-GLOBAL ID:200903068590299412
不良解析装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
春日 讓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003040146
Publication number (International publication number):2004253182
Application date: Feb. 18, 2003
Publication date: Sep. 09, 2004
Summary:
【課題】SEMで観察する試料表面以外にはダメージを与えないで、検査の終わったウエハを再びラインに戻して使用でき、歩留まりを向上できる不良解析装置を提供することにある。【解決手段】イオンビームを照射して試料を加工する収束イオンビーム装置10と、収束イオンビーム装置10により加工された箇所に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡20と、走査型電子顕微鏡20による電子ビーム照射と同時に、この電子ビーム照射位置よりも広い範囲に、収束イオンビーム装置10による加工時のイオンビームの加速電圧よりも低い加速電圧にてArイオンシャワーを照射するイオンシャワー装置30を備える。このイオンシャワーの照射により、上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって上記試料表面がチャージアップするのを防止し、走査型電子顕微鏡20による電子ビーム照射によって発生した二次電子を検出し、画像表示する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
イオンビームを照射して試料を加工する収束イオンビーム装置と、この収束イオンビーム装置により加工された箇所に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡と、この走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって発生した二次電子を検出し、画像表示する不良解析装置において、
上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射と同時に、この電子ビーム照射位置よりも広い範囲に、上記収束イオンビーム装置による加工時のイオンビームの加速電圧よりも低い加速電圧にてイオンシャワーを照射するイオンシャワー装置とを備え、
このイオンシャワーの照射により、上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって上記試料表面がチャージアップするのを防止することを特徴とする不良解析装置。
IPC (4):
H01J37/28
, H01J37/20
, H01L21/027
, H01L21/66
FI (4):
H01J37/28 B
, H01J37/20 H
, H01L21/66 C
, H01L21/30 502V
F-Term (16):
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106CA70
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DE01
, 4M106DE02
, 4M106DE21
, 4M106DE23
, 5C001BB07
, 5C001CC04
, 5C001CC08
, 5C033UU03
, 5C033UU10
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