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J-GLOBAL ID：200903068594742388

紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード

Inventor： 小林 考二
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 岡部 正夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273709
Publication number (International publication number)：1995221341
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】微弱な紫外線を高速動作によって検出し、紫外線に対して十分な増倍率があり、且つ、S/N比も良好である紫外線検出用シリコンAPDを提供する。【構成】紫外線の入射する側から順にp+ 型層、n型層、n- 型層及びn+ 型シリコン基板を有し、且つ、シリコンの紫外線に対する吸収係数をαとしたとき、p+ 型層が0.7/α以上の厚さを有していることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオードにおいて、紫外線の入射する側から順にp+ 型層、n型層、n- 型層及びn+ 型シリコン基板を有し、且つ、シリコンの前記紫外線に対する吸収係数をαとしたとき、前記p+ 型層が0.7/α以上の厚さを有していることを特徴とする紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード。

IPC (3)：

H01L 31/107 ,  G01J 5/20 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-116795
  
• 特開平3-091968
  
• 特開昭53-116795
  
• 特開平3-091968