フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：千田稔 , 辻永和徳 , 橋本幸治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003054131
Publication number (International publication number)：2004038140
Application date： Feb. 28, 2003
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】SiONおよび他の無機表面層に対して著しい接着性を示すことができる300nm以下および200nm以下、たとえば193nmおよび157nmを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。【解決手段】本発明のフォトレジストは、フォト酸レイビル基を有する樹脂、1以上のフォト酸発生化合物、および接着促進添加化合物を含む。本発明の接着促進添加化合物は酸窒化シリコン(SiON)層および他の無機物層と反応するかまたは錯体を形成することができる1以上の部位を有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸窒化シリコン層、該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がフォト酸レイビルポリマー、フォト酸発生化合物、および接着促進成分を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。

IPC (4)：

G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/11 503 , H01L21/30 502R

F-Term (13)：

2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC06 , 2H025DA39 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-198978 Applicant：東京応化工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-128516 Applicant：ジェイエスアール株式会社
高解像ポジティブ型乾燥膜フォトレジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-340012 Applicant：モートンインターナショナル,インコーポレイティド

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