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J-GLOBAL ID：200903068614078684
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995259888
Publication number (International publication number)：1997102502
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ(HBT)及びその製造方法に関し、通電による接合破壊が起こりにくく、かつ合金化によらずにベース電極とベース層とのオーミック接触を得る。【解決手段】エミッタ層25〜29と、該エミッタ層25〜29から延在する半導体層25,26とがベース層24上に形成され、ベース層24と接触するベース電極が半導体層25,26の端部(X部)を被覆してなる。
Claim (excerpt)：
エミッタ層と、該エミッタ層から延在する半導体層とがベース層上に形成され、前記ベース層と接触するベース電極が前記半導体層の端部を被覆してなることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
