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J-GLOBAL ID：200903068674009339

半導体装置

Inventor： 宮城 正英
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010422
Publication number (International publication number)：1993166969
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】実装した半導体素子からの放熱を良くするためにCu張りAl2 O3 基板の厚さを薄くした場合に、Cu箔からAl2 O3 板に加わる応力により発生しやすくなる亀裂を防止する。【構成】両面のCu箔間の絶縁確保のためにCi箔の縁とAl2 O3 板の端面との間に設けられる寸法の差をAl2 O3 板の厚さが0.26〜0.29mmのときに0.5mm以下の範囲に抑えることにより、両面での応力の均衡をとらせて、亀裂の発生を防止する。さらに、両面のCu箔に上下に重なり合うパターンを持たせることにより応力の均衡が向上する。

Claim (excerpt)：

アルミナからなる平板の両面に銅箔の張られた絶縁基板の一面上に半導体素子が実装されるものにおいて、両面の銅箔の縁とアルミナ板の端面とのそれぞれの寸法の差の絶対値が0.5mm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/02

FI (2)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-059986
  
• 特開昭63-318759