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J-GLOBAL ID：200903068685450770

化学気相成長方法及びその装置

Inventor： 三村 誠一 ,  竹原 克尚
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993313330
Publication number (International publication number)：1995169696
Application date： Dec. 14, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 集積回路上に形成された狭くて深いトレンチの側壁部及び底部を含めて平滑で均一な薄膜の形成が可能な化学気相成長方法及びその装置を得る。【構成】 ウエハステージ2に装着された被加工物をガスヘッド15に対向させつつ平面移動させる回転装置21と、被加工物とガスヘッド15とが相互に揺動するようにウエハステージ2またはガスヘッド15を揺動する揺動装置31とを備えた。また被加工物とガスヘッド15との間隔を変化させるガスヘッド高さ調整部を付加した。【効果】 被加工面の深い凹凸の側壁部まで反応ガスが到達し易くなり、側壁部及び底部も含めて平滑で均一な加工を行なうことができる。また加工条件の設定が容易になり加工能率が向上する。

Claim (excerpt)：

外部から密閉可能な反応室に配設され、反応ガスを上記反応室に供給する反応ガス導入手段と、上記反応室に配設された排気手段と、上記反応室に配設され、被加工物をその被加工面が上記反応ガス導入手段に対向するように装着するとともに被加工物を加熱する支持手段と、この支持手段に装着された上記被加工物と上記反応ガス導入手段とが対向しつつ相互に平面移動するように、上記支持手段または上記反応ガス導入手段を駆動する第1の駆動手段と、上記支持手段に装着された上記被加工物の被加工面と上記反応ガス導入手段とが対向しつつ相互に揺動するように、上記支持手段または上記反応ガス導入手段を駆動する第2の駆動手段と、を備えた化学気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31