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J-GLOBAL ID：200903068691553506

青色発光ダイオード

Inventor： 中村 修二 ,  妹尾 雅之 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992034234
Publication number (International publication number)：1993063236
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 V<SB>F</SB>が低く、高輝度である、即ち発光効率の高いp-n接合発光ダイオードを実現できる新規な構造を提供する。【構成】 基板1上にGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X≦1の範囲である。)バッファ層2と、その上にp型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層3と、その上にn型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層4とが、順に積層された構造を有する青色発光ダイオード。

Claim (excerpt)：

基板上にGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X≦1の範囲である。)バッファ層と、その上にp型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層と、その上にn型不純物がドープされたGa<SB>X</SB>Al<SB>1-X</SB>N(0≦X≦1)層とが、順に積層された構造を有することを特徴とする青色発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-288371
  
• 特開昭59-228776
  
• 特開平2-042770