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J-GLOBAL ID：200903068714407642
半導体レーザ制御回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮川 俊崇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992213500
Publication number (International publication number)：1994036331
Application date： Jul. 18, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 再生時と消去時のように、発光パワーが大幅に変化する半導体レーザの制御回路において、広帯域で、高精度の制御を可能にする。【構成】 発光パワー検出用受光素子からの検出信号により発光パワーを制御する半導体レーザ制御回路において、半導体レーザの発光パワーに応じて受光素子に印加する逆バイアス電圧を変化させる。【効果】 受光素子への入射光量が多いときは、受光素子へ印加する逆バイアスを高くして受光素子の飽和を回避し、入射光量が少ないときは、逆バイアスを低くして暗電流を低減しているので、広帯域で、精度のよい半導体レーザ制御回路が実現できる。
Claim (excerpt)：
光情報記録装置における半導体レーザ制御回路であり、光源である半導体レーザから出射された光の一部を受光し、該半導体レーザの発光パワーを検出する受光素子と、該受光素子により検出された信号によって半導体レーザの発光パワーを制御する制御手段と、該制御手段からの制御信号に応じて前記半導体レーザを駆動する駆動手段、とを具備する半導体レーザ制御回路において、前記半導体レーザの発光パワーに応じて前記受光素子に印加する逆バイアス電圧を変化させることを特徴とする半導体レーザ制御回路。
IPC (3)：
G11B 7/13
, G11B 7/00
, G11B 7/125
