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J-GLOBAL ID：200903068737425230
横型MOS電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149623
Publication number (International publication number)：1993343678
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 飽和電流を減らさずにブレークダウンに対する耐量の強化を図ることができる横型MOS電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ソース領域8の延長ドレイン領域3へ向かう方向に対して垂直方向に隣接する側に基板バイアス効果を抑制するためのシリコン基板1と同一導電型の高濃度基板コンタクト領域14をソース領域8と交互に形成するとともに、ソース領域8をゲート電極7に隣接した側で広くソースコンタクト窓部9側で狭くなるように形成して実効ゲート幅を実際のゲート電極7幅と同一になるようにし、ブレークダウン時には基板コンタクト領域14にブレーク電流が流れるようにしてオン抵抗を低減する。
Claim (excerpt)：
一導電型のシリコン基板上に形成された他導電型のソース領域と高濃度ドレイン領域との間に前記ドレイン領域を包含する延長ドレイン領域を形成し、この延長ドレイン領域と前記ソース領域間のチャネル領域上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成するとともに、前記延長ドレイン領域内に前記ドレイン領域を取り囲むシリコン基板と同一の導電型領域を形成してこの同一導電型領域の一部を前記シリコン基板に電気的に接続し、前記ソース領域と高濃度ドレイン領域とをそれぞれのコンタクト窓部でソース電極とドレイン電極とに電気的に接続した横型MOS電界効果トランジスタであって、前記ソース領域の前記延長ドレイン領域へ向かう方向に対して垂直方向に隣接する側に基板バイアス効果を抑制するための一導電型の高濃度基板コンタクト領域を前記ソース領域と交互に形成するとともに、前記ソース領域を、前記ゲート電極に隣接した側で広くソースコンタクト窓部側で狭くなるように形成したことを特徴とする横型MOS電界効果トランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 S
