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J-GLOBAL ID:200903068744765314
カーボン系水素貯蔵材の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
落合 健 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001209228
Publication number (International publication number):2003026413
Application date: Jul. 10, 2001
Publication date: Jan. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】 水素貯蔵量の大なるカーボン系水素貯蔵材を得る。【解決手段】 カーボン系水素貯蔵材を製造するに当り,複数の単層カーボンナノチューブ1よりなるバンドル2の集合体に局部構造破壊能を有する電子線を照射して,前記集合体の電子線照射前の比表面積Aと電子線照射後の比表面積Bとの間にB>Aの関係を成立させる。
Claim (excerpt):
複数の単層カーボンナノチューブ(1)よりなるバンドル(2)の集合体(3)に局部構造破壊能を有する電子線を照射して,前記集合体(3)の電子線照射前の比表面積Aと電子線照射後の比表面積Bとの間にB>Aの関係を成立させることを特徴とするカーボン系水素貯蔵材の製造方法。
IPC (4):
C01B 31/02 101
, B01J 20/20
, B82B 3/00
, C01B 3/00
FI (4):
C01B 31/02 101 Z
, B01J 20/20 B
, B82B 3/00
, C01B 3/00 B
F-Term (10):
4G040AA31
, 4G040AA36
, 4G040AA42
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC10
, 4G066AA04B
, 4G066BA26
, 4G066CA38
, 4G066FA31
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