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J-GLOBAL ID：200903068745625486

半導体装置とその雑音特性の改善方法

Inventor：
藤井 宏基

About 藤井 宏基


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999134289
Publication number (International publication number)：2000323651
Application date： May. 14, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 デバイスの雑音特性を向上させ、消費電力を最小限に抑える半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置に設けられた信号入出力用パッド15aと、このパッド15aの直下に設けたシールド用の導電層8とからなる半導体装置において、前記信号入出力用パッド15aと前記導電層8との間に寄生する寄生容量Cpと動作周波数において共振するようなインダクタ15b(インダクタンスはL1)と付加容量20(容量はC1)とを設け、前記パッド15aと前記導電層8間のインピーダンスを大きくすることで前記パッド15aと前記導電層8を電気的に遮断するように構成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体装置に設けられた信号入出力用パッドと、このパッドの直下に設けたシールド用の導電層とからなる半導体装置において、前記信号入出力用パッドと前記導電層との間に寄生する寄生容量と動作周波数において共振するようなインダクタと付加容量とを設け、前記パッドと前記導電層間のインピーダンスを大きくすることで前記パッドと前記導電層とを電気的に遮断するように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
F-Term (14)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AR27 ,  5F038AZ03 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038BH03 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA10 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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