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J-GLOBAL ID：200903068758755923

ポリッシング定盤および研磨品製造方法

Inventor： 村松 勝利 ,  伊藤 健二 ,  原口 和敏 ,  王林 明
Applicant, Patent owner： エヌティエヌ株式会社 ,  財団法人川村理化学研究所
Agent (1)： 野田 雅士 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001141985
Publication number (International publication number)：2002343749
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 形状精度を劣化させることなく、かつコロイダルシリカ等の遊離砥粒研磨液を使用せずに研磨でき、また研磨傷の発生や加工レートの変動の生じない定盤および研磨方法を提供する。【解決手段】 このウェハーのポリッシング定盤1は、有機高分子共存下、金属アルコキシドの加水分解・重縮合を行わせるなどの方法で調製される有機無機複合体で構成されるものである。有機無機複合体は300nm以下の大きさの金属酸化物が1〜60重量%の範囲で有機高分子中に均一に分散された成形体である。この研磨品製造方法は、上記ポリッシング定盤1を用いてウェハーWのポリッシング加工を行う方法である。

Claim (excerpt)：

金属酸化物の微粒子を有機高分子中にナノメーターオーダーで均一に分散させた有機無機複合体で構成されたことを特徴とするシリコンウェハーのポリッシング定盤。

IPC (6)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/36 ,  C08L 61/00 ,  C08L101/00

FI (6)：

H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/36 ,  C08L 61/00 ,  C08L101/00

F-Term (18)：

3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  4J002CB001 ,  4J002CC001 ,  4J002CD001 ,  4J002CL001 ,  4J002CL061 ,  4J002CM041 ,  4J002CP022 ,  4J002CQ032 ,  4J002DE096 ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD016 ,  4J002GM00