Pat

J-GLOBAL ID：200903068765548470

セラミックス皮膜の形成方法

Inventor： 花形 晴雄 ,  柳田 和夫 ,  五十嵐 英郷
Applicant, Patent owner： ディップソール株式会社
Agent (1)： 中村 稔 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990401868
Publication number (International publication number)：1994306644
Application date： Dec. 13, 1990
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】〔目的〕 本発明は、気相めっき法を利用して体積抵抗率及び絶縁破壊電圧等の電気的特性に優れたセラミックス皮膜を基材表面に効率よく形成できる方法を提供することを目的とする。〔構成〕 本発明は、陽極火花放電法によりセラミックス皮膜を形成した基体上に、さらに気相めっき法によりセラミックス皮膜を形成することを特徴とするセラミックス皮膜の形成方法である。〔効果〕 本発明によれば、体積抵抗率及び絶縁破壊電圧等の電気的特性に優れたセラミックス皮膜を基材表面に効率よく形成できるとともに、気相めっき法により形成した皮膜について問題となる耐塩水性も向上させることができる。

Claim (excerpt)：

陽極火花放電法によりセラミックス皮膜を形成した基体上に、さらに気相めっき法によりセラミックス皮膜を形成することを特徴とするセラミックス皮膜の形成方法。

IPC (5)：

C23C 28/04 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  C25D 11/04 101 ,  C25D 11/18 312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-199797
  
• 特開昭53-135383
  
• 特公昭53-013149
  
• 特開平2-133565
  
• 特開昭63-227719