EB部分一括アパチャー及びX線マスクの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：舘野千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341835
Publication number (International publication number)：1995169674
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 EB直描部分一括アパチャー及びX線マスクの作製方法において、バックエッチの形状を容易に円形とし、更にウェットエッチング用の保護膜形成の工程を削減し、保護膜によるウエハへの応力を低減し、強度の高いEB直描部分一括アパチャー及びX線マスクを製造する。【構成】 EB直描部分一括アパチャー及びX線マスクの作製のバックエッチ工程において、ウェットエッチ用の保護膜を形成する工程をはさまずに、シリコンをドライエッチする際にエッチングされにくい石英、Cu、Au等のマスクを用いて、ドライエッチングのみで円形にバックエッチする。。

Claim (excerpt)：

EB(電子ビーム)直接描画における部分一括アパチャーの製造方法のバックエッチ工程において、エッチングされにくい材料よりなるウエハをマスクウエハとして用い、ドライエッチングのみでシリコンウエハをバックエッチすることを特徴とするEB部分一括アパチャーの製造方法。

FI (2)：

H01L 21/30 541 B , H01L 21/30 531 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-110820
ステンシルマスク形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-022301 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭62-244132

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