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J-GLOBAL ID：200903068776947252

成膜処理方法

Inventor： 清田 久晴
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023593
Publication number (International publication number)：1996222544
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 残留塩素による上層膜の剥がれや腐食を防止できる成膜処理方法を提供する。【構成】 塩素を含有する反応ガスを用いたエッチングによって処理表面15を形成する。処理表面15にアルコールのプラズマを照射するかまたは処理表面15をシリコン系化合物のラジカルにさらし、エッチングによって処理表面15に吸着した状態の塩素Aを処理表面15から除去する清浄化処理を行う。処理表面15上に上層膜19を成膜する。これによって、処理表面15と上層膜19との間に塩素Aが残留することを防止する。

Claim (excerpt)：

塩素を含有する反応ガスを用いた成膜またはエッチングによって形成された処理表面上に上層膜を成膜する際の処理方法であって、前記処理表面にアルコールのプラズマを照射する清浄化処理を行った後、当該処理表面上に前記上層膜を成膜することを特徴とする成膜処理方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341

FI (6)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-181435   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-288031   Applicant：日本電気株式会社