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J-GLOBAL ID：200903068792402606
導波路型半導体光素子および光通信システム
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023474
Publication number (International publication number)：1998221554
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】特性を劣化することなく、導波路型半導体光素子のスポットサイズを変換する。【解決手段】コアとクラッドの間の屈折率差を、スポットサイズの大きい領域で多く、小さい領域で少なくする。
Claim (excerpt)：
第一の導電型の半導体基板上にコア層および第二の導電型のクラッド層を含む導波路型半導体光素子において、ストライプ幅が一定もしくは変調し上記コア層の厚さが一定もしくは変調する複数のスポットサイズの異なる領域が光軸方向に直列に集積化され、一つ以上の領域で基板より高い屈折率を有する第一の導電型の高屈折率クラッド層または第二の導電型のクラッド層より高い屈折率を有する第二の導電型の高屈折率クラッド層のいずれかもしくは双方を有し、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層および上記第二の導電型の高屈折率クラッド層は各領域内で厚さが一定かもしくは変調しており、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層を有する場合には、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層は、上記基板と上記コア層の間にあり、隣り合う領域の間でスポットサイズの大きい方のみにあるか、もしくは領域内での平均的な厚さがスポットサイズの大きい方の領域で他方よりも大きく、上記第二の導電型の高屈折率クラッド層を有する場合には、上記第二の導電型の高屈折率クラッド層は、上記第二の導電型のクラッド層と上記コア層の間にあり、隣り合う領域の間でスポットサイズの大きい方の領域のみにあるか、もしくは領域内での平均的な厚さがスポットサイズの大きい方の領域で他方よりも大きいことを特徴とする導波路型半導体光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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