Pat
J-GLOBAL ID：200903068808035692

ドライエッチング方法及び装置

Inventor：
田原 傑

About 田原 傑


Applicant, Patent owner：
ヤマハ株式会社

About ヤマハ株式会社


Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302014
Publication number (International publication number)：1997129610
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 選択性を犠牲にすることなく、高い生産性を確保しながら、低圧高密度プラズマで配線エッチングを行う場合の形状異常の発生を抑制することを可能としたドライエッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上に層間絶縁膜12を介してAl合金層13が形成され、その上にレジストパターン14が形成されたウェハ10をエッチング室に導入し、エッチングガスのプラズマによりAl合金層13を選択エッチングするに際し、層間絶縁膜12が露出するまでのメインエッチング工程はプラズマ密度の高いエッチング条件で行い、その後オーバーエッチングは、プラズマ密度の低いエッチング条件で行うようにした。
Claim (excerpt)：
基板上に導体層が形成され、この導体層上にマスク材が形成されたウェハをエッチング室に導入し、エッチングガスのプラズマにより前記導体層を選択エッチングするドライエッチング方法において、前記導体層の下地が露出するまでプラズマ密度の高いエッチング条件で前記導体層をエッチングするメインエッチング工程と、このメインエッチング工程よりプラズマ密度の低いエッチング条件でオーバーエッチングして残存する導体層を除去するオーバーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (3)：
H01L 21/302 G ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM