レジスト下層膜用組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999158672
Publication number (International publication number)：2000347415
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【目的】レジストとの密着性に優れ、レジストを露光した後に使用する現像液に対する耐性に優れ、かつレジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物を得る。【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方R<SP>1</SP><SB>a</SB>Si(OR<SP>2</SP>)<SB>4-a</SB> ・・・・・(1)(R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも1種R<SP>2</SP><SB>3</SB>SiQ (2)[R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、-OR<SP>3</SP>、-OSiR<SP>3</SP><SB>3</SB><SB><HAN>、</SB></HAN>-NHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、-NHCONHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、および-OC(CH3)=NSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>(ただしR<SP>3</SP>は1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方R<SP>1</SP><SB>a</SB>Si(OR<SP>2</SP>)<SB>4-a</SB> ・・・・・(1)(R<SP>1</SP>は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される化合物の少なくとも1種R<SP>2</SP><SB>3</SB>SiQ (2)[R<SP>2</SP>は1価の有機基を示し、Qは塩素原子、-OR<SP>3</SP>、-OSiR<SP>3</SP><SB>3</SB><SB><HAN>、</SB></HAN>-NHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、-NHCONHSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>、および-OC(CH3)=NSiR<SP>3</SP><SB>3</SB>(ただしR<SP>3</SP>は1価の有機基を示す)からなる群から選ばれた1種を示す。]を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

IPC (6)：

G03F 7/11 503 , C08K 5/541 , C08L 83/04 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/11 503 , C08L 83/04 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , C08K 5/54 , H01L 21/30 573

F-Term (34)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025BE00 , 2H025CB33 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025DA25 , 2H025DA36 , 2H025FA41 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP041 , 4J002CP051 , 4J002CP071 , 4J002CP091 , 4J002CP141 , 4J002EQ037 , 4J002EU187 , 4J002EV217 , 4J002EV237 , 4J002EV297 , 4J002EV327 , 4J002EX026 , 4J002EX036 , 4J002EX076 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J002HA08 , 5F046HA01 , 5F046MA12

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