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J-GLOBAL ID：200903068835138940

ろう接方法

Inventor： 松浦 健志 ,  五代儀 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182217
Publication number (International publication number)：1994029444
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 AlNとNi合金を銀ろうを介してろう接する時に、AlNのクラック発生を防止して信頼性の高いろう接方法を提供することを目的としている。【構成】 半導体装置のAlNから成る基台3の下部にNi合金製のリードピン6を銀ろう5を介してろう接する際に、銀ろう濡れ角θがほぼ11〜38度程度の範囲になるようにすると共に、銀ろう5がリードピン6の端面から基台3側に引いた垂線上からほぼ完全にはみ出すように銀ろう5の量を調整してろう接を行う。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムとニッケル合金とを銀ろうを介してろう接する時に、前記窒化アルミニウムと銀ろうとのろう接部端の角度が、ほぼ11度乃至38度の範囲になるようにすると共に、前記銀ろうが前記ニッケル合金の端面から前記窒化アルミニウム側に引いた垂線上からほぼ完全にはみ出すように前記銀ろうの量を調整してろう接を行うことを特徴とするろう接方法。