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J-GLOBAL ID：200903068836227890
半導体発光装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
根本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993063266
Publication number (International publication number)：1994252440
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【構成】 基板1上にLEDアレイを備え、各LED5の側面を覆う保護膜9により、各LED5から発する光を反射させる。各LED5は、Al<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>As結晶により構成されるN型半導体3bとP型半導体3cとを有する。各LED5の屈折率n<SB>LED </SB>は、3.44≦n<SB>LED </SB>≦3.60の範囲に設定され、その保護膜9の屈折率nは、n<1.85、n>1.90の範囲に設定される。【効果】 各LEDの側面から発する光の隣接するLEDにおける反射を低減できるので、例えば電子写真用感光ドラムの露光用光源として利用した場合には画像の滲みを防止してシャープな画像を得ることができる。
Claim (excerpt)：
基板上にLEDアレイを備え、各LEDはAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>As結晶により構成されるN型半導体層とP型半導体層とを有し、各LEDの屈折率n<SB>LED </SB>は、3.44≦n<SB>LED </SB>≦3.60の範囲に設定され、各LEDの少なくとも側面は、そのLEDの発する光の一部を透過すると共に一部を反射する保護膜によって覆われ、その保護膜の屈折率nは、n<1.85、n>1.90の範囲に設定されている半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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