半導体集積回路装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061694
Publication number (International publication number)：1995273211
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】ソース・ドレイン領域がLDD構造で、且つ表面にシリサイド層を有するMOSLSIの出力バッファの静電破壊耐圧を向上させる。【構成】ゲート電極の側面に設けた側壁スペーサ6の直下に内部回路用LDD構造NチャネルMOSトランジスタのN- 型拡散層よりも低濃度のN--型拡散層5からなる高抵抗領域を形成する。

Claim (excerpt)：

LDD構造のMOSトランジスタのソース・ドレイン拡散層の表面に高融点金属シリサイド層を形成した半導体集積回路装置において、出力バッファ回路を構成するMOSトランジスタのゲート電極側面に設けた側壁スペーサ直下に形成した前記LDD構造の低濃度拡散層でチャネル領域に面する領域と該領域よりも低濃度の高抵抗領域とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭61-253867
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295237 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平2-170569

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