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J-GLOBAL ID：200903068843164292

非単結晶半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松浦 由紀
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995235412
Publication number (International publication number)：1997082970
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 オフリーク電流を低減するとともに、光リーク電流を最小限に抑えて、安定した閾値電圧(Vth)を有する多結晶半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成された絶縁膜と、互いに分離して形成された第1および第2の非単結晶半導体不純物領域と、前記第1および第2の非単結晶半導体の不純物領域に挟まれた非単結晶半導体のチャネル領域、および、前記非単結晶半導体の第1および第2の不純物領域に、それぞれ接続された第1および第2の電極を具備する非単結晶半導体装置である。前記絶縁膜に形成された第1および第2の不純物領域のチャネル領域側には、この不純物領域より低い濃度で不純物が導入された高抵抗領域が存在することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成された絶縁膜と、互いに分離して形成された第1および第2の非単結晶半導体不純物領域と、前記第1および第2の非単結晶半導体の不純物領域に挟まれた非単結晶半導体のチャネル領域、および前記非単結晶半導体の第1および第2の不純物領域に、それぞれ接続された第1および第2の電極を具備し、前記絶縁膜に形成された第1および第2の不純物領域のチャネル領域側には、この不純物領域より低い濃度で不純物が導入された高抵抗領域が存在することを特徴とする非単結晶半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 M