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J-GLOBAL ID：200903068844073070

配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法

Inventor： 和田 保 ,  甫立 真理 ,  梁井 健一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994145931
Publication number (International publication number)：1996015721
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 配線パターン基板及び薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法に関し、電極、配線等の微細なパターンに対しても、選択性のよい樹脂膜の電着ができ、必要な領域には充分なエッチング耐性を有する膜厚の樹脂膜を形成する手段を提供する。【構成】 薄膜トランジスタマトリクス基板の、例えばドレイン電極7及びドレインバスライン8の少なくとも一部の周辺部を、周辺部以外の材質よりも樹脂の電着レートが小さい材質(透明導電膜4)で構成し、これに樹脂膜10を電着することによって、ドレイン電極及びドレインバスラインの周辺部に、周辺部以外の領域より薄い樹脂膜を形成し、周辺部以外の領域に厚い樹脂膜を形成する。樹脂の電着レートが小さい材質の材料として、ITO等の導電性酸化物のような電気抵抗が大きい材料、樹脂の電着レートが大きい材質の材料として、Cr等の金属のような電気抵抗の小さい材料を用いることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の上に配線パターンが形成された配線パターン基板において、該配線パターンの少なくとも一部の周辺部が、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成され、該配線パターンの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする配線パターン基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 29/786