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J-GLOBAL ID：200903068856836621
半導体圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027028
Publication number (International publication number)：1994241930
Application date： Feb. 17, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】加工工数を低減し、かつ検出感度および検出信号の線形性を可及的に向上する。【構成】ダイアフラム15はこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁部15Cと、この梁部15Cを除く薄肉の膜部15Dと、前記梁部15Cの上面に形成されたストレンゲージ31,32,33,34とからなるようにする。
Claim (excerpt)：
その下部に窪みが設けられてその上面部にダイアフラムが形成された円柱状の半導体チップと、この半導体チップの下面に結合され前記窪みに連通する圧力導入口を有する基板と、前記ダイアフラムの上面に形成されたストレンゲージとからなる半導体圧力センサにおいて、前記ダイアフラムはこのダイアフラムの直径方向の厚肉の梁部と、この梁部を除く薄肉の膜部とからなることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
