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J-GLOBAL ID：200903068881844914

半導体装置の製造方法

Inventor： 関口 満
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993007246
Publication number (International publication number)：1994216065
Application date： Jan. 20, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜応力による半導体基板の反りを防ぎ、搬送が容易、かつ接合リークの発生を抑制した半導体装置の製造方法を得る。【構成】 半導体基板11に第1の金属膜13を堆積し(b)、半導体基板11の裏面に第1の金属膜13と基板に与える反りの方向、大きさが等しい第2の膜14を堆積する(c)。その後、第1の金属膜13をパターニングし(d)、最後に第2の金属膜14を除去する(e,f)。【効果】 本発明は、半導体基板にかかる応力がトータルでほぼ0となり、半導体基板の反りがなくなる。そのため、真空チャックを用いた装置での搬送困難、接合リークの増大といった問題を解消することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に第1の膜を堆積する工程と、前記半導体基板の裏面に前記第1の膜と基板に与える反りの方向、大きさが等しい第2の膜を堆積する工程と、前記第1の膜をパターニングする工程と、その後第2の膜を除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205