Pat
J-GLOBAL ID：200903068903249454
高耐圧ショットキー・ダイオード
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993037995
Publication number (International publication number)：1994252380
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 リーク電流の増加や順方向の多大な電圧降下を招くことがなく、安定した動作を確実に実現することを可能にした、炭化珪素を用いた高耐圧ショットキー・ダイオードを提供する。【構成】 炭化珪素基板1上に、 n型炭化珪素層2からなる活性層を設ける。 n型炭化珪素層2上には、ショットキー電極3を接続し、炭化珪素基板1側にはオーミック電極4を接続する。ショットキー電極3は、ショットキー障壁φ<SB>B </SB>が0.868× V<SB>b </SB><SP>-0.222</SP>-(kT/q)ln{P<SB>r </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>・ V<SB>b </SB>)}<φ<SB>B </SB><V<SB>F </SB>-{(3.31×10<SP>-11 </SP>/μ)V<SB>b </SB><SP>3.33</SP>+ r<SB>s </SB>}J<SB>F </SB>-(kT/q)ln{J<SB>F </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>)}( V<SB>F </SB>は順方向電圧降下、 V<SB>b </SB>は降伏電圧、 J<SB>F </SB>は順方向電流密度、 P<SB>r </SB>は最大損失、 Tは温度、 r<SB>s </SB>は基板抵抗、 A<SP>* </SP>はリチャードソン定数、 kはボルツマン定数、 qは素電荷、μは移動度)の関係を満足する。
Claim (excerpt)：
n型炭化珪素からなる活性層と、ショットキー障壁φ<SB>B </SB>が 0.868× V<SB>b </SB><SP>-0.222</SP>-(kT/q)ln{P<SB>r </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>・ V<SB>b </SB>)}<φ<SB>B </SB>< V<SB>F </SB>-{(3.31×10<SP>-11 </SP>/μ)V<SB>b </SB><SP>3.33</SP>+ r<SB>s </SB>}J<SB>F </SB>-(kT/q)ln{J<SB>F </SB>/ (A<SP>* </SP>・ T<SP>2 </SP>)}(式中、 V<SB>F </SB>は順方向電圧降下、 V<SB>b </SB>は降伏電圧、 J<SB>F </SB>は順方向電流密度、 P<SB>r</SB>は最大損失、 Tは温度、 r<SB>s </SB>は基板抵抗、 A<SP>* </SP>はリチャードソン定数、 kはボルツマン定数、 qは素電荷、μは移動度である)を満足するショットキー電極とを具備することを特徴とする高耐圧ショットキー・ダイオード。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
