不揮発性PMOS2トランジスタメモリセル及びアレイ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島陽一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999522352
Publication number (International publication number)：2001506063
Application date： Oct. 07, 1998
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】不揮発性メモリアレイが複数のPMOS 2トランジスタ(2T)メモリセルを有する。各2Tセル(40)は、PMOSフローティングゲートトランジスタ(40a)及びPMOS選択トランジスタ(40b)を有し、ビット線と共通ソース線との間に接続されている。同じ行にある各2Tセルの選択ゲート及びコントロールゲートは、それぞれワード線及びコントロールゲート線に接続されている。2Tセルのアレイは、FNトンネル現象及びBTBT誘起ホットエレクトロン注入を組み合わせて利用して書き込みされ、FNトンネル現象を利用して消去される。いくつかの実施例では、アレイが、n-ウェル領域によって画定され、所定の数の行の2Tセルを有する複数のセクタに分割される。1つのセクタにおける各2Tセルのソースはセクタの共通ソース線に接続されている。別のいくつかの実施例では、アレイのビット線がセクタ境界に沿ってセグメントに分割される。

Claim (excerpt)：

n-ウェル領域に形成された複数のPMOS2Tメモリセルを有するメモリアレイであって、前記アレイのビット線に接続されたp+ドレイン、ワード線に接続された選択ゲート、及びp+ソースを有するPMOS選択トランジスタと、前記PMOS選択トランジスタの前記p+ソースに接続されたp+ドレイン、コントロールゲート線に接続されたコントロールゲート、及び共通ソース線に接続されたp+ソースを有するPMOSフローティングゲートトランジスタとを有することを特徴とするメモリアレイ。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , G11C 16/04 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , G11C 17/00 623 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ホットエレクトロン注入プログラミング及びトンネル動作消去を有するPMOSメモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302924 Applicant：プログラマブルマイクロエレクトロニクスコーポレイション

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