有機薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法並びに有機薄膜トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005151603
Publication number (International publication number)：2006073993
Application date： May. 24, 2005
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】工程を単純化した有機薄膜トランジスタの製造方法及びこれを利用した液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , G09F 9/30 , H01L 51/05

FI (6)：

H01L29/78 616N , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/28

F-Term (41)：

2H092JA26 , 2H092KA09 , 2H092KA18 , 2H092MA02 , 2H092MA12 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA46 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA11 , 5C094FB01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN72 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-293212 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭62-140467
特開平3-280436

Show all

Return to Previous Page