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J-GLOBAL ID:200903068923341853
マイクロ波プラズマ処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
井内 龍二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995327637
Publication number (International publication number):1997063794
Application date: Dec. 15, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置に装備された導電体板31が配設されたマイクロ波導入窓14を長時間使用すると、マイクロ波導入窓14と導電体板31との間に隙間が生じて異常放電が発生し易くなり、またマイクロ波導入窓14の一部は直接プラズマに曝されるため、特に石英ガラス製のマイクロ波導入窓14は侵食され易いという課題があった。【解決手段】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝送する導波管22と、導波管22に接続された誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置されたマイクロ波導入窓14を有する反応器11と、反応器11内に配設された試料保持部15aとを備えたマイクロ波プラズマ処理装置に装備された導電性薄膜24、又は導電性薄膜24と絶縁性薄膜25とで被覆されているマイクロ波導入窓14を使用する。
Claim (excerpt):
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に配設された試料保持部とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓の試料保持部側が導電性薄膜で部分的に被覆されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (5):
H05H 1/46
, C23C 14/35
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
FI (5):
H05H 1/46 B
, C23C 14/35 F
, C23F 4/00 D
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
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