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J-GLOBAL ID：200903068933830879

薄膜製造方法

Inventor： 宮下 勝次 ,  東海 暢男 ,  有馬 靖二 ,  栗原 邦夫 ,  ヘイ, ピーター
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994177092
Publication number (International publication number)：1996055803
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、枚葉式LPCVD法において、連続蒸着処理の比較的初期のサイクル間で蒸着膜の厚さが変動しない薄膜製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ウエハへ連続的に蒸着を行うに先立ち、同じ薄膜をプロセスチャンバ内のサセプタ等の露出した表面に形成する予備工程を行う。サセプタ等に一定以上の厚さの薄膜を予め形成した後ウエハへ連続的に蒸着を行えば、プロセスチャンバ内の温度が連続蒸着の各サイクル間で変動しなくなる。その結果、各ウエハに蒸着される薄膜の厚さが一定となるため、歩留まりの高い薄膜製造方法が提供される。

Claim (excerpt)：

減圧され加熱されたプロセスチャンバ内でウエハ上に薄膜を蒸着するCVD法を用いた枚葉式の薄膜製造方法であって、ウエハが搬入されていない前記プロセスチャンバ内において、前記プロセスチャンバ内を所定の圧力に減圧し、所定の温度に加熱するとともに混合ガスを導入し、ウエハを支持するために前記プロセスチャンバ内に備えられたサセプタの露出した表面上に薄膜を形成する操作を備えた予備工程と、ウエハを前記プロセスチャンバ内に搬入し、前記サセプタ上に前記ウエハを移送する第1のステップと、略前記所定の圧力を維持しつつほ略前記所定の温度に加熱した前記プロセスチャンバ内に前記混合ガスと略同一の組成のガスを導入して前記ウエハ上に薄膜を蒸着する第2のステップと、前記ウエハを前記プロセスチャンバより除去する第3のステップとを備える薄膜形成工程と、を備えることを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/54 ,  C23C 14/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-092519
  
• 特開昭50-110769