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J-GLOBAL ID：200903068947203966

ジョセフソン接合の作成方法及び装置

Inventor：
東海林 彰

About 東海林 彰

, 
山森 弘毅

About 山森 弘毅


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002240313
Publication number (International publication number)：2004079882
Application date： Aug. 21, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】従来NbNやNbCNとの格子適合性の良い単結晶MgOを基板として使用する試みが行われてきた。しかし、単結晶MgOは非常に高価であるために、汎用のジョセフソン接合を作成するための基板として採用することは実質的に困難である。【解決手段】本願発明は、Siウェーハ上にアモルファスMgOと高配向MgOからなるMgO二重層をスパッタリングによって形成し、それを基板として用いることによってNbNあるいはNbCNをエピタキシャル成長させ、単結晶MgOを用いずに、100nm程度の磁場侵入長を持つNbN膜及びNbCN膜の作成を実現する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
ジョセフソン接合の作成方法において、Si基板上に、アモルファスのMgO及び高配向MgOから成るMgOの二重層を形成し、該二重層の上にNbN又はNbCN膜を積層したことを特徴とするジョセフソン接合の作成方法。
IPC (2)：
H01L39/22 ,  H01L39/24
FI (2)：
H01L39/22 A ,  H01L39/24 J
F-Term (15)：
4M113AA04 ,  4M113AA07 ,  4M113AA14 ,  4M113AA25 ,  4M113AD16 ,  4M113AD21 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BB02 ,  4M113BB03 ,  4M113BC17 ,  4M113BC26 ,  4M113CA17 ,  4M113CA31 ,  4M113CA42
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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