Pat

J-GLOBAL ID：200903068954301485

結晶性薄膜製造装置

Inventor： 奥山 哲雄 ,  村瀬 浩貴
Applicant, Patent owner： 東洋紡績株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993201380
Publication number (International publication number)：1995058026
Application date： Aug. 13, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶性Si薄膜を非晶質基板上に作製する為の装置を提供する。【構成】 結晶性Si薄膜を基板上に製造する方法において、基板上の非晶質Si薄膜材料に比較的低エネルギーの希ガス原子ビームを少なくとも2方向から照射するための反射板を設けて、ビームを薄膜にあてて、所望の結晶配向をさせる事を特徴とする結晶性薄膜製造装置。

Claim (excerpt)：

結晶性Si薄膜を基板上に製造する装置において、基板上の非晶質Si薄膜材料に比較的低エネルギーの希ガス原子ビームを少なくとも2方向から照射し、面内での配向を含む所望の結晶配向をさせるための反射板を少なくとも有することを特徴とする結晶性薄膜製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/20