スパッタリングターゲット及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032122
Publication number (International publication number)：1996225933
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】スパッタリングで得られる膜中の窒素及び炭素濃度が一定となる炭化窒化クロムターゲットを提供する。【構成】窒素含有量が1〜12wt% の窒化クロム粉末と二炭化三クロム粉末及び金属クロム粉末を混合、成形し、熱間静水圧プレス法で焼結して炭素含有量が0.1〜5wt% で窒素含有量が1〜10wt% であるスパッタリングターゲットを製造する。

Claim (excerpt)：

実質的にクロム、炭素及び窒素からなり、炭素含有量が0.1〜5wt% 、窒素含有量が1〜10wt% であるスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C23C 14/06 , G03F 1/08 , H01L 21/203

FI (4)：

C23C 14/34 A , C23C 14/06 H , G03F 1/08 G , H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

フォトマスクブランクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-099567 Applicant：凸版印刷株式会社
特開平2-264952
特開昭62-112771

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