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J-GLOBAL ID：200903068961056550

狭帯化ArFエキシマレーザ装置

Inventor： 多田 昭史 ,  五十嵐 龍志
Applicant, Patent owner： 株式会社ウシオ総合技術研究所
Agent (1)： 韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000009653
Publication number (International publication number)：2001203417
Application date： Jan. 19, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来のビーム拡大プリズムと回折格子からなる狭帯化光学系を用いてスペクトル線幅(95%積分線幅)を1.15pm以下に狭帯化するための条件を見出して半導体露光用ArFエキシマレーザ装置を狭帯化すること。【解決手段】 リトロー配置のエシェル型回折格子3とその入射側に配置された3個のプリズムからなるビーム径拡大プリズム5とスリット4とからなる狭帯化光学系を備えており、回折格子3のブレーズ角θが82°以下であり、ビーム径拡大プリズム5の拡大率Mが26倍以下であり、発振パルス幅T<SB>is</SB>が60ns以下であり、共振器長Lが1000〜1350mmの範囲にあり、スリット幅Wが1.0mm以上であり、(W+11)cosθ/(LMT<SB>is</SB><SP>0.853 </SP>)<4.94×10<SP>-6</SP> の関係を満たすように構成されている狭帯化ArFエキシマレーザ装置。

Claim (excerpt)：

リトロー配置のエシェル型回折格子とそのエシェル型回折格子の入射側に配置された3個のプリズムからなるビーム径拡大プリズムとスリットとからなる狭帯化光学系を備えたArFエキシマレーザ装置において、前記エシェル型回折格子のブレーズ角θが82°以下であり、ビーム径拡大プリズムの拡大率Mが26倍以下であり、発振パルス幅T<SB>is</SB>が60ns以下であり、共振器長Lが1000〜1350mmの範囲にあり、スリット幅Wが1.0mm以上であり、さらに、 (W+11)cosθ/(LMT<SB>is</SB><SP>0.853 </SP>)<4.94×10<SP>-6</SP> ・・・(14)の関係を満たすように構成されていることを特徴とする狭帯化ArFエキシマレーザ装置。

IPC (4)：

H01S 3/1055 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027

FI (5)：

H01S 3/1055 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 527

F-Term (19)：

2H049AA07 ,  2H049AA50 ,  2H049AA52 ,  2H049AA63 ,  2H049AA64 ,  2H097CA13 ,  2H097LA10 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046CA10 ,  5F046CB10 ,  5F046CB27 ,  5F072AA06 ,  5F072HH04 ,  5F072JJ13 ,  5F072KK07 ,  5F072KK09 ,  5F072KK18