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J-GLOBAL ID：200903068963015827

結晶製造方法

Inventor： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051540
Publication number (International publication number)：1995263809
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は,AlGaInN系結晶にて発光素子を良好に作るための結晶製造方法を提供することにある。【構成】 サファイアの{1-100}または{11-20}面を基板結晶11として,その上にまずZnO層12を付け,つづいてAlGaInN系のヘテロ構造13〜17を成長し,ZnO層を酸で溶解してAlGaInN系のヘテロ結晶を分離し,このヘテロ結晶を{0001}面で劈開する工程から成る。【効果】 本発明によれば,ファブリペロキャビティを形成するために欠くことのできない良好な劈開面が得られる。

Claim (excerpt)：

サファイアの{1-100}または{11-20}面のうえにZnO層を成長し,続いてAlGaInN系のダブルヘテロ結晶層を成長し,該ZnO層を酸で溶解して該ダブルヘテロ結晶層を該基板結晶から分離してのち,該ダブルヘテロ結晶層を{0001}面に沿って劈開することを特徴とする結晶製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00