Pat
J-GLOBAL ID：200903068965277268
多結晶シリコン薄膜積層体、シリコン薄膜太陽電池および薄膜トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995334123
Publication number (International publication number)：1997153456
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、安価な基板が使用可能な低温で形成可能で、かつ欠陥が少なく均質で粒径が大きく、さらには配向性の優れた多結晶シリコン薄膜を有する多結晶シリコン薄膜積層体を提供することを目的とする。【解決手段】 基体1上に少なくとも結晶質を含むイオン結合性薄膜2および該イオン結合性薄膜の上に多結晶シリコン薄膜3が積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜積層体。
Claim (excerpt)：
基体上に少なくとも結晶質を含むイオン結合性薄膜および該イオン結合性薄膜の上に多結晶シリコン薄膜が積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜積層体。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/04
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 A
, H01L 31/04 H
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