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J-GLOBAL ID：200903068980629324

水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFETおよび該デプレッション型MESFETの製造方法

Inventor： 山下 敏 ,  石倉 威文 ,  川原田 洋 ,  伊藤 正宏 ,  外園 明
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232188
Publication number (International publication number)：1997312300
Application date： Sep. 02, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFETを提供する。【解決手段】 表面を水素原子で終端2した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド1の表面に金からなるドレインオーミックコンタクト3と、ソースオーミックコンタクト4と、Ni,W,Fe,Cu,Cr,もしくはダイヤモンド表面とのショットキー障壁の高さが0.7eV以下の金属材料からなるゲート電極5を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域11とした水素終端ダイヤモンドを用いたデプレッション型MESFET。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域にニッケル(Ni),タングステン(W),鉄(Fe),銅(Cu),クロム(Cr)のいずれかからなるゲート電極を有するデプレッション型MESFETを設けたことを特徴とする水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFET。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/04

FI (2)：

H01L 29/80 F ,  C30B 29/04 V