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J-GLOBAL ID:200903068986378196
リソグラフィによる表面または薄層の改変
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997508255
Publication number (International publication number):1997511711
Application date: Aug. 04, 1995
Publication date: Nov. 25, 1997
Summary:
【要約】基板層にリソグラフィ・フィーチャを生成するためのプロセスであって、基板(10)上に反応物を帯びたスタンプ(15)をおろすステップと、後続の反応を所望のパターンに制限するステップと、前記スタンプを持ち上げるステップと、基板から反応の残骸を除去するステップとを含むプロセスを記述する。スタンプは、エッチングすべきパターンまたはこのようなパターンに対応するくぼみを帯びていることが好ましい。上記の方法を使用すると、ミクロン未満のフィーチャを備えたパターンを生成することができる。この方法により、様々な技術分野での材料の並列処理および移転にとって一般的な解決策が可能になる。
Claim (excerpt):
1つの反応によって基板(10;20;30;40)の表面を改変する方法において、 少なくとも1つの前記反応に関与するもの(14;24;34;44)を、変形可能材料(152;252;352;452)を含むスタンプ(15;25;35;45)に塗布するステップと、 前記スタンプを前記基板に共形接触させるステップと、 その反応を事前に定義されたリソグラフィ・パターンに制限するステップとを含むことを特徴とする方法。
IPC (3):
B41K 1/02
, G03F 7/00 501
, H01L 21/306
FI (4):
B41K 1/02 D
, B41K 1/02 B
, G03F 7/00 501
, H01L 21/306 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-343463
Applicant:大日本印刷株式会社
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特開昭59-185777
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印刷方法および印刷装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-312083
Applicant:松下電器産業株式会社
-
薄膜パターン製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
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