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J-GLOBAL ID：200903068993790868

半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器

Inventor：
吉田 順自

About 吉田 順自

, 
築地 直樹

About 築地 直樹


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002218881
Publication number (International publication number)：2003110194
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 安定し、高利得を得ることができるラマン増幅器用光源に適した半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】 レーザ光を発光するGRIN-SCH-MQW活性層3の出力側に、回折格子13をもつ光導波路4を設け、GRIN-SCH-MQW活性層3が形成する利得領域と回折格子13の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に2本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する。
Claim (excerpt)：
レーザ光を発光する活性層の出力側または反射側あるいは出力側および反射側の双方に回折格子を設け、前記活性層が形成する利得領域と前記回折格子の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に2本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S 5/125 ,  G02F 1/35 501
FI (2)：
H01S 5/125 ,  G02F 1/35 501
F-Term (19)：
2K002AA02 ,  2K002AB30 ,  2K002DA10 ,  2K002HA24 ,  5F073AA22 ,  5F073AA46 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073EA01 ,  5F073EA03 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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